该款车型被视为小米集团进入新能源汽车领域的重要战略布局，标志着小米集团向自主品牌造车方向迈出了坚实的一步。

2023年12月，小米汽车举行的技术发布会上，针对万众瞩目的小米汽车SU7的各种亮点产品力进行了介绍。小米创办人、董事长兼CEO雷军在会上重磅发布了包括800V SiC技术在内的多项硬核技术。

随着今天的产品发布会脚步越来越近，小米的各类供应商都被一一披露，今天我们重点带大家关注一下小米汽车在动力部分的供应商情况，动力部分，小米SU7提供了单电机和双电机两种动力，其中双电机版车型最大功率为 673 马力，0-100km/h加速时间 2.78 秒，配备容量为 101kWh 的宁德时代三元锂电池，CLTC 续航里程为 800km。单电机版车型最大功率 LTC 续航里程为 800km。单电机版车型最大功率 299 马力，0-100km/h加速时间 5.28 秒，配备容量为 73.6kWh 的弗迪磷酸铁锂电池，CLTC 续航里程为668km。

电驱方面，根据小米此前的信息披露，小米SU7的400V平台两驱版搭载的是联合汽车电子的SiC电驱，后驱水冷永磁电机（TZ220XS102），而800V四驱版搭载的是汇川联合动力的SiC电驱，前油冷异步电机（YS210XY102），后油冷永磁电机（TZ220XY102），峰值转速21000RPM；

这与盖世汽车发布的小米SU7的供应商信息一致，那么这里面的碳化硅应用情况如何呢？

小米SU7单电机版，400V电压平台的电驱供应商为联合汽车电子，其中搭载了来自博世的碳化硅芯片，根据调研：其中搭载了博世第二代750V，6毫欧的芯片产品。

小米SU7单电机版，400V电压平台的电驱供应商为联合汽车电子，其中搭载了来自博世的碳化硅芯片，根据调研：其中搭载了博世第二代750V，6毫欧的芯片产品。

根据博世的技术人员介绍，博世第二代750V碳化硅产品将改进体二极管以提高开关速度，在切换速度不变的前提下，减少了50%的dv/dt；实现单位面积Rdson 30%的缩减。这款被搭载在小米SU7上的碳化硅芯片的高温表现良好，175摄氏度高温系数达1.45，完全可以媲美国际大厂的最优一代平面型产品。

博世的碳化硅产品采用了独特的双通道沟槽栅极技术。与平面型和单通道沟槽栅极技术相比，博世的双通道沟槽栅极技术使产品在相同的芯片面积下具有更低的导通电阻，在功率相同的情况下，芯片所需面积更小，因此对于芯片产出与成本控制都有明显优势。此外还可支持更高的结温耐受，支持最高200℃的温度下连续运行。

受益于大陆市场的强劲需求，博世近年来也坚定在碳化硅方面的投入，产能扩张方面也相对积极。五年前，博世决定首先在Reutlingen建立自己的碳化硅芯片生产厂。2021年，博世将再次扩大了这一生产设施。去年，博世又将生产基地的规模扩大了一倍。近期，博世以15亿美元收购了美国一家现有的芯片工厂。目前，该工厂正在全面转产碳化硅。公司的目标是在2026年交付第一批在美国生产的碳化硅芯片。

此外，在对8英寸的晶圆量产节奏上，博世也做出了规划，根据博世集团董事会主席史蒂凡·哈通博士披露，从2026年开始，博世计划在具备高成本效益的200毫米晶圆上制造首批沟槽结构的碳化硅芯片。

小米SU7双电机版，800V电压平台的电驱供应商为汇川联合动力，其中搭载了来自英飞凌的碳化硅模组和芯片产品。

早在2022年底，英飞凌科技就推出了采用CoolSiC™ MOSFET技术的全新车规功率模块— HybridPACK™ Drive CoolSiC™，该款产品具有1200 V阻断电压、且适用于电动汽车牵引逆变器的全桥模块。

   采用搭载来自英飞凌自己的CoolSiC沟槽栅MOSFET技术，适用于高功率密度和高性能的应用场景。进一步提高了逆变器的效率，实现更高的续航里程并降低电池成本，适用于800 V电池系统及更高电池容量的电动汽车。

  与刚刚上文介绍的博世芯片一致，英飞凌的CoolSiC MOSFET也采用的是沟槽结构设计。英飞凌表示，与平面结构技术相比，沟槽栅结构可实现更高的单元密度，从而产生最佳的品质因素。因此，沟槽栅MOSFET可以在较低的栅极氧化物场强下工作，从而提高可靠性。

同样的，英飞凌也看到了汽车市场巨大的碳化硅应用机会，正在积极布局碳化硅的产能。此前英飞凌就公布了公司已投资50亿欧元在马来西亚新建一家碳化硅工厂。英飞凌称，这将是全球最大的碳化硅工厂。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck预计，到2030年，碳化硅市场的价值将达到70亿欧元，其中约一半将来自汽车行业。

值得一提的是，碳化硅产品在小米SU7中的应用不止主驱逆变环节，根InSemi调研信息显示，小米SU7的400V及800V平台中均搭载了华域三电的热管理EDC产品，其中压缩机控制器部分的供应均来自国内企业致瞻科技。

致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽车400V、800V、1000V平台上成熟量产基于碳化硅方案的空调压缩机控制器的供应商。2023年11月，致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器已成功下线。

在早前我们的文章中曾介绍到，针对纯电动汽车，尤其是针对800V电压平台，电动空调压缩机控制器的首选方案将是SiC方案，在全系800V高压平台下，电动压缩机部件采用SiC技术，可以更好地解决高压、高转速所带来的开关损耗瓶颈，进而减小压缩机体积和重量、降低压缩机的噪音、最大程度降低能耗。

致瞻科技官网信息显示，新能源汽车热管理系统通过空调压缩机实现热量的运转，压缩机驱动系统消耗大量电力，尤其在夏、冬两季。致瞻科技推出全SiC空调压缩机控制器，相比传统硅基控制器，驱动器电量损耗可降低70%，并满足800V电气系统架构。

在芯片选择上，致瞻与Wolfspped有深度合作，除此之外今年1月18日，宣布与意法半导体达成合作，意法半导体为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供其第三代SiC MOSFET技术。

ST当前将中国市场战略作为重中之重，在此前接受行业媒体采访中，ST表示为了满足中国新能源汽车市场快速增长的碳化硅需求，正在快速扩大宽禁带器件产能。公司位于意大利卡塔尼亚新的全工序碳化硅衬底制造厂正在建设中，预计 2024 年开始投产。

2023 年 6 月，ST还宣布与国内碳化硅企业三安光电成立合资公司，在中国量产8英寸碳化硅器件。该合资公司也将支持中国汽车电动化发展，满足市场对意法半导体碳化硅器件不断增长的需求。

产品迭代方面，公司第四代SiC MOSFET技术将于2024年量产，以增强ST在性能和成本方面的竞争力。

小米SU7是小米首款量产车型，融合了当前最先进的各项技术，很高兴我们在小米SU7中看到新能源汽车含“SiC”量迅速攀升，如果按照晶圆面积计算一下小米汽车对碳化硅晶圆的消耗量，基本可以视为每3-4辆小米汽车就要消耗掉一片6英寸的碳化硅晶圆。

从产业链角度看，当前国内拥有最完善的碳化硅产业链，最具优势的碳化硅衬底、外延材料成本，以及最大的应用市场。碳化硅产业链的未来增长确定性极高。期待国内晶圆制造短板快速补齐，早日将碳化硅的市场蛋糕越做越大！