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红旗全国产框架式碳化硅功率模块A样件试制成功

发布时间：2023-09-22 09:07:25

近日，据红旗研发新视界官微消息，由研发总院新能源开发院功率电子开发部牵头与国内知名碳化硅芯片企业联合开发的红旗首款电驱用750V HPD全国产框架灌封式碳化硅功率模块A样件试制完成，并搭载于E009车型逆变器A样机开展功能、性能试验。本次下线标志着红旗品牌向自主掌控功率变换核心技术迈出了重要一步。

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HPD功率模块A样件

据悉，HPD碳化硅功率模块A样件创新采用直流功率端子母排叠层结构、高可靠Clip铜夹连接、高散热水滴PinFin散热水道、环氧树脂灌封技术以及高耐温银烧结芯片贴装工艺，实现模块寄生电感≤7.5nH，模块持续工作结温175℃，输出电流有效值达到620A。

此外，今年4月，研发总院新能源开发院功率电子开发部与中国电子科技集团第55研究所联合开发的红旗首款全国产电驱用1200V塑封2in1碳化硅功率模块A样件试制完成。

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这也标志着红旗达成电驱用碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化，打破了国际芯片垄断。

在碳化硅芯片方面，红旗应用了高密度高可靠元胞结构、芯片电流增强技术、高可靠碳化硅栅氧制备工艺、精细结构加工工艺等，碳化硅芯片比导通电阻达到3.15mΩ·cm²，导通电流达到120A，技术指标达到国际先进水平。

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碳化硅晶圆生产线

在模块封装方面，红旗应用了行业领先的三端子母排叠层结构、高可靠铜线互联技术与高散热椭圆PinFin散热水道，配合大尺寸环氧树脂转模塑封与高耐温银烧结芯片贴装工艺，实现模块寄生电感≤6.5nH，模块持续工作结温175℃，输出电流有效值达到550A。

红旗围绕新结构、新工艺、新材料方面开展自主技术攻关，真正实现了芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节全流程自主可控。

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功率模块热仿真示意图

再加上本次全国产HPD碳化硅功率模块A样装机成功，标志着红旗研发“芯”征程取得了重要突破。

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