三菱电机与安世半导体合作,旨在开发SiC功率半导体
发布时间:2023-11-16 03:11:54

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近日,三菱电机宣布,将与安世半导体建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片,安世半导体将使用该芯片来开发SiC分立器件。



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合作方面,前不久,Coherent、电装和三菱电机已达成协议,将向CoherentSiC业务投资,投资金额总计10亿美元(各5亿美元)。

这笔投资将使电装和三菱各换取12.5%的非控股股权,Coherent将持有剩余75%的股权。交易完成之前,Coherent将把SiC业务分离出来,并将其投入一家子公司,子公司将继续由Coherent的新风险投资与宽带隙电子技术执行副总裁Sohail Khan领导。

SiC子公司将与电装和三菱电机达成长期供应协议,以满足电装和三菱对150 mm200 mmSiC衬底和外延片的需求

近年来,Coherent投资扩大了150 mm200 mm衬底的生产规模,以应对这一市场。此次对SiC业务进行10亿美元的合并投资,将为扩产该业务的衬底和外延片提供资金,另一方面,结合同时签订的供应协议,还可增强SiC业务在市场中的地位。预计2024年第一季度完成此次交易

而今年5月,三菱电机就与Coherent签署了一份谅解备忘录(MOU),双方合作开展一项计划,在200mm技术平台上大规模制造SiC电力电子器件。


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根据公告,为了满足快速增长的需求,三菱电机宣布在截至20263月的五年内投资约2600亿日元。投资的主要部分(约1000亿日元)将用于建设一个基于200mm技术平台的SiC功率器件的新工厂,并加强相关生产设施。根据谅解备忘录,Coherent公司将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件开发供应200mm n4H SiC衬底片


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据悉,三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平。根据此前3月消息,三菱电机投资约1000亿日元,将用于建设新的8英寸 SiC 晶圆厂并加强相关生产设施。新工厂落址日本熊本县,将生产大直径 8 英寸 SiC 晶圆,引入具有最先进能源效率和高水平自动化生产效率的洁净室。据悉,新厂房将于20264月投产


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此外,三菱电机还将加强其位于该县合志市工厂的6英寸SiC晶圆的生产设施,扩增产能以满足该领域不断增长的需求。

据了解,三菱电机上述位于熊本县的两座工厂均专注于前端制程。此外,三菱电机将新投资约100亿日元用于新工厂,该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务,用于功率半导体的封装和检查。集设计、开发、生产技术验证于一体,将大大提升公司的开发能力,便于及时量产以应对市场需求。而剩余的200亿日元全部为新投资,将用于设备改进、环境安排和相关运营。

多年来,三菱电机一直引领高速列车、高压工业应用和家用电器的SiC 功率模块市场。三菱电机于 2010 年推出全球首款空调用 SiC 功率模块,创造了历史,并于 2015 年成为新干线高速列车首家全 SiC 功率模块供应商。

此外,三菱电机提出了到2025年度将功率半导体销售额提高到2400亿日元、比2021年度增长34%的目标。营业利润率的目标是达到10%。现在占主流的硅功率半导体也在增强生产,20224月在广岛县福山市的新工厂开始量产。计划2024年度开始使用300毫米晶圆进行量产。

安世半导体方面,10月,安世半导体正式宣布与KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH (京瓷安施)建立了密切的合作关系,共同生产新的650 V20 A碳化硅(SiC)整流器模块,适用于3 kW 11 kW 功率堆栈设计的高频电源应用,以满足工业电源、 EV 充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。


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