9月18 日 – AIXTRON发布信息称，公司将支持全球最大的硅外延晶圆代工厂之一 GlobiTech Inc.将其业务扩展到碳化硅 (SiC) 外延领域。AIXTRON 的新型设备 G10将加速GlobiTech提高 SiC 外延产量，以满足全球对功率外延晶圆日益增长的需求。

该新闻也快速在业内引起市场关注，那么随着GlobiTech携手AIXTRON进军碳化硅外延市场，我们可以看到行业正在发生变化：

碳化硅行业长期趋势的明确信号

增产、降本将是市场主流

一直以来，国内碳化硅市场的外延设备以稳定性高，操作简单的单片炉为主，代表性机型为意大利LPE公司的Pe106/108，该机台可以实现 900℃高温自动装取片，主要特点是生长率高、外延周期短 、片内及炉次间一致性好等 ，在国内市场占有率最高。

国内市场上，晶盛机电、中国电科48所、北方华创、纳设智能等公司均开发了具有类似功能的单片式SiC外延设备，并推进大规模应用，以上4家公司的水平外延炉均已实现大规模出货。

根据InSemi不完全调研，综合各家的市场信息，凭借稳定且可靠的工艺性能，国内单片炉市场存量已累计超过450台，除此之外各家仍有较多数量的待交付订单。可以说单片机台仍是目前的市场主流。

但随着下游应用的逐步起量，国内外碳化硅产能扩产节奏加快，碳化硅外延的扩产需求进一步加大，仅国内市场外延项目已超15个。

随着扩产需求的放大，单片机的产出能力弊端逐步显现。据LPE透露的单片机月产能仅350片/月。所以市场也在不停探索其他更多提升产能的技术路线。

G10应运而生，这套2022年9月AIXTRON爱思强推出全新的外延系统。据了解，这套高温CVD系统是用于SiC市场的150/200毫米高通量外延设备（双晶圆尺寸批处理反应器）。

G10-SiC新平台

∙ 支持双晶圆尺寸：150 mm 和 200 mm

∙ 市场上最高的晶圆产量/平方米

∙ 市场上最低的成本/晶圆

∙ 优异的Run-to-Run工艺性能

∙ 高度均匀、低缺陷的 SiC 外延工艺，可实现最大芯片良率

∙ 高效的 SiC 衬底基面位错 (BPD) 转换

新的平台是围绕着AIXTRON爱思强经过验证的自动化晶圆盒到盒的装载解决方案和高温晶圆转移而建立的。结合高增长率的工艺能力，G10-SiC提供了一流的晶圆吞吐量和每平方米的吞吐量，以有效利用半导体工厂有限的洁净室空间。

简单说就是G10是为了碳化硅外延片大规模量产而生的。

当然，除G10外，今年以来准热壁立式 CVD 系统的进展也备受市场关注，据国内准热壁立式 CVD 系统的量产厂家芯三代称：公司将工艺和设备紧密结合研发的SiC-CVD设备通过温场控制、流场控制等方面的设计，在高产能、6/8英寸兼容、COO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性和可靠性等方面都具有明显的优势。