近日，韩国和美国均新增了一个SiC工厂，涉及碳化硅衬底和晶圆制造：

·STI：投资约16.4亿在韩国釜山市建立一家新工厂，年产3万片SiC衬底。

·阿肯色大学：总投资1.3亿人民币，碳化硅研究和制造工厂破土动工。

STI投资超16亿 

建设6&8吋SiC厂

据韩媒报道，STI宣布将在釜山市建设一个年产3万片SiC晶圆的新工厂，以支持韩国车规SiC的本土供应。

据介绍，STI 将投资 3000 亿韩元（约16.4亿人民币），在釜山功率半导体细分专业园区建立SiC材料生产工厂。该项目的一期工程占地超 16000 平方米，预计明年下半年建成。届时，该项目将年产3万片 6 英寸碳化硅衬底。

据介绍，STI 将投资 3000 亿韩元（约16.4亿人民币），在釜山功率半导体细分专业园区建立SiC材料生产工厂。该项目的一期工程占地超 16000 平方米，预计明年下半年建成。届时，该项目将年产3万片 6 英寸碳化硅衬底。

从2025年起，STI将购置11.5万平方米的土地以扩建8吋线，利用自身设备批量生产8英寸碳化硅晶锭和衬底。

STI成立于1989年，是一家热处理设备企业，主要研发生产光纤基础材料制造设备和石英玻璃电炉等设备。

除了碳化硅长晶外，该公司具有2项关键技术：

·SiC PVT长晶炉

2021年，STI 开发出用于量产6英寸碳化硅的长晶炉，整个研发时间为2年时间，同时还透露他们目标是在2021年内开发出韩国首个8 英寸碳化硅长晶炉。

·碳化硅粉料合成技术

为了生产SiC粉料，STI 开发了氟化钙（CaF2）制造设备，并利用高纯度二氧化硅（SiO2）开发 SiC 粉末合成技术。据了解，STI 已经开发出纯度为99.9998%的5N级SiC粉。

据介绍，该工厂占地 18660 平方英尺，将设有约 8000 平方英尺的洁净室，用于SiC制造和测试；该设施预计在2025年1月完工，届时MUSiC将全面启用。

值得注意的是，MUSiC的首席研究员Alan Mantoth还重点强调了8英寸碳化硅晶圆的开发工作。

据了解，该SiC工厂建设计划于2021年获得了美国国家科学基金会（NSF）及美国陆军研究实验室的支持，获得了约1800 万美元（约1.3亿人民币）的资金支持。